產(chǎn)品簡(jiǎn)介
銻化鎵為半導(dǎo)體材料。分子式為GaSb,閃鋅礦型結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)0.6094nm,密度5.6137g/cm3,為直接帶隙半導(dǎo)體,室溫時(shí)禁帶寬度為0.70eV。
產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)
| 單晶 |
GaSb |
| 摻雜 |
None |
None high R |
Zn |
Te |
Te high R |
| 導(dǎo)電類(lèi)型 |
P |
P- |
P+ |
N |
N |
| 載流子濃度cm-3 |
1~2×1017 |
1~5×1016 |
1~5×1018 |
2~6×1017 |
1~5×1016 |
| 位錯(cuò)密度cm-2 |
＜103 |
| 生長(zhǎng)方法 |
LEC |
| 最大尺寸 |
Φ3″ |
| 標(biāo)準(zhǔn)基片 |
Φ3″×0.5， Φ2″×0.5 |
| 表面處理 |
研磨，單拋，雙拋 |
Si Wafer/SOI Wafer/SiO2 Wafer
