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InSb Wafer

Product Numbers: 201374122246

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Product description:

INTRODUCTION

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

銻化銦為立方晶系閃鋅礦型結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)0.6478nm。密度5.775g/cm3。熔點(diǎn)525℃。為直接帶隙半導(dǎo)體,室溫禁帶寬度0.18eV,本征載流子濃度1.1×1022/m3,本征電阻率6×10-4Ω·m,較純晶體的電子和空穴遷移率為10和0.17m2/(V·s)。采用區(qū)域熔煉、直拉法制備。用于制作遠(yuǎn)紅外光電探測(cè)器、霍耳器件和磁阻器件。

產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)

單晶

InSb 備注
外形尺寸 2“ (50.8 ± 0.3mm) 客戶要求
厚度 500 ± 25μm
摻雜 None Te Ge
導(dǎo)電類(lèi)型 N N P
載流子濃度cm-3 1~5x1014 12x1015
位錯(cuò)密度cm-2 <2x102

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