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InP Wafer

Product Numbers: 201374112958

Place:

Product description:

INTRODUCTION

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

性狀:瀝青光澤的深灰色晶體, 閃鋅礦結(jié)構(gòu)。
熔點(diǎn):1070℃。常溫下帶寬(Eg=1.35 eV)。熔點(diǎn)下離解壓為2.75MPa。
溶解性:極微溶于無(wú)機(jī)酸。
介電常數(shù):10.8
電子遷移率:4600cm2/(V·s)
空穴遷移率:150cm2/(V·s)
制備:具有半導(dǎo)體的特性。由金屬銦和赤磷在石英管中加熱反應(yīng)制得。

產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)

單晶
InP 備注
外形尺寸 2" , 3", 4" 客戶要求
厚度 Dia2" X 500μm(單拋或雙拋)
Dia3" X 500μm(單拋)
Dia4" X 635μm(單拋)
晶向 <100> 客戶要求
摻雜 None;Sn;S;Fe:Zn
硬度 3.0莫氏硬度
密度 4.78 g/cm3
導(dǎo)電類型 N;N;N;Si;P
折射率 3.45
載流子濃度cm-3 1-2x1016 ,1-3x1018
1-4x1018 ,6-4x1018
位錯(cuò)密度cm-2 <5x104
生長(zhǎng)方法 LEC
溫度 1072℃
彈性模量 7.1E11dyn Cm-2
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