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氧化硅片

產(chǎn)品編號:JAH-SiO2 Wafer

產(chǎn)品產(chǎn)地:

產(chǎn)品描述:氧化硅片,二氧化硅片,氧化硅片廠家

產(chǎn)品介紹

產(chǎn)品簡介:

       二氧化硅片是指在硅片表面熱生長一層均勻的介質(zhì)薄膜,用作絕緣、或者掩模材料。氧化工藝包括高溫干氧氧化、高溫濕氧氧化。公司采用進(jìn)口先進(jìn)氧化設(shè)備、工藝實現(xiàn)氧化層均勻、準(zhǔn)確的生成。

產(chǎn)品特點:

 氧化層厚度均勻   平整度好    翹曲度小 

 尺寸公差小      表面無光滑無瑕疵

產(chǎn)品規(guī)格說明

外形尺寸:

1",2",3",4",5",6",7 ~ 12"

可定制

型號

N/ P型、本征(不摻雜)

客戶要求

直徑:

50 300mm

 

總厚度:

250 600 μm

可定制

厚度誤差

±10μm

 

氧化層厚度

50nm 2000nm(常規(guī)100nm,200nm,300nm,500nm,1000nm)

客戶要求

平整度(TIR

< 3 μm

 

翹曲度(BOW

15μm

 

TTV:

15μm,30μm

 

粗糙度

< 0.5nm

 

電阻率:

0.00120000 (Ω·cm)

客戶要求

晶向

100〉;〈110〉;〈111

 

級別

IC

 

表面處理

單拋,雙拋,研磨

客戶要求

 

  

   

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