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銻化鎵晶片

產(chǎn)品編號:201372172710

產(chǎn)品產(chǎn)地:

產(chǎn)品描述:銻化鎵晶片, GaSb Wafer

產(chǎn)品介紹

產(chǎn)品簡介    
         銻化鎵為半導(dǎo)體材料。分子式為GaSb,閃鋅礦型結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)0.6094nm,密度5.6137g/cm3,為直接帶隙半導(dǎo)體,室溫時禁帶寬度為0.70eV。

產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)

單晶 GaSb
摻雜 None None high R Zn Te Te high R
導(dǎo)電類型 P P- P+ N N
載流子濃度cm-3 1~2×1017 1~5×1016 1~5×1018 2~6×1017 1~5×1016
位錯密度cm-2 <103
生長方法 LEC
最大尺寸 Φ3″
標(biāo)準(zhǔn)基片 Φ3″×0.5, Φ2″×0.5
表面處理 研磨,單拋,雙拋

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