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SOI絕緣硅片

產(chǎn)品編號：JAH-SOI

產(chǎn)品產(chǎn)地：美國

產(chǎn)品描述：
產(chǎn)品介紹

產(chǎn)品簡介

  • 北京嘉安恒科技有限公司代理銷售SOI絕緣硅片。SOI是指將一薄層硅置于一絕緣襯底上。晶體管將在稱之為'SOI' 的薄層硅上制備?；赟OI結(jié)構(gòu)上的器件將在本質(zhì)上可以減小結(jié)電容和漏電流，提高開關(guān)速度，降低功耗，實現(xiàn)高速、低功耗運行。作為下一代硅基集成電路技術(shù)，SOI廣泛應(yīng)用于微電子的大多數(shù)領(lǐng)域，同時還在光電子、MEMS等其它領(lǐng)域得到應(yīng)用。

  • 頂層硅的厚度可根據(jù)應(yīng)用的不同而變化。借助精密儀器，鍵合技術(shù)以及外延設(shè)備，頂層硅最薄可達20納米，最厚可至幾十微米或更多。一個更厚的頂層硅對光通訊及MEMS器件尤其重要。

  • 公司現(xiàn)有超薄頂層硅SOI片，頂層硅厚度有200nm，300nm，340nm等，歡迎前來垂詢！

產(chǎn)品規(guī)格說明

 

外形尺寸

4"、5"、6"、8"

工藝

Smart cut; Bonding; SIMOX

類型

N/P

電阻率

可定制

頂層單晶厚度

0.20～100μm

埋氧層厚度

0.4～4μm

基底層厚度

100～500μm

TTV

< 3μm

Paritlce

<10@0.3μm

 

SOI圓片主要有以下特點：
1.提高運行速度
在特定的電壓下，建在SOI材料上電路的運行速度比建在普通硅材料上電路的速度提高百分之30%，這極大地提高了微處理器和其它裝置的性能。
2.降低能量損耗
SOI材料能降低近30%-70%的能量消耗，特別適用于對能量消耗比較高的領(lǐng)域。
3.改進運行性能
SOI材料能承受高達350攝氏度甚至500攝氏度的高溫，對那些在惡劣環(huán)境下必須運轉(zhuǎn)良好的設(shè)備特別適用。
4.減小封裝尺寸
SOI材料能滿足IC制造商對產(chǎn)品越來越小的要求。
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