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銻化銦晶片

產品編號:201374122246

產品產地:

產品描述:

產品介紹

產品簡介

銻化銦為立方晶系閃鋅礦型結構,晶格常數(shù)0.6478nm。密度5.775g/cm3。熔點525℃。為直接帶隙半導體,室溫禁帶寬度0.18eV,本征載流子濃度1.1×1022/m3,本征電阻率6×10-4Ω·m,較純晶體的電子和空穴遷移率為10和0.17m2/(V·s)。采用區(qū)域熔煉、直拉法制備。用于制作遠紅外光電探測器、霍耳器件和磁阻器件。

 產品技術參數(shù) 

  

單晶

InSb 備注
外形尺寸 2“ (50.8 ± 0.3mm) 客戶要求
厚度 400/500 ± 25μm
摻雜 None Te Ge  
導電類型 N N P
載流子濃度cm-3 1~5x1014 _  4x1016 1~4x1016
位錯密度cm-2 <2x102

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