本公司生產(chǎn)銷(xiāo)售2寸、3寸、4寸、6寸砷化鎵單晶襯底，產(chǎn)品規(guī)格可定制。
晶片規(guī)格有N型（摻硅Si）、P型（摻鋅Zn）和非摻雜。
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
砷化鎵（gallium arsenide），化學(xué)式GaAs，屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體，由砷和鎵兩種元素化合而成，外觀呈亮灰色，具金屬光澤、性脆而硬，是當(dāng)代國(guó)際公認(rèn)的繼"硅（Silicon）"之后最成熟的化合物半導(dǎo)體材料，具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性度良好等優(yōu)越特性，是光電子和微電子工業(yè)最重要的支撐材料之一。
在光電子工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用層面，砷化鎵單晶可被用于制作LD（激光器）、LED（發(fā)光二極管）、光電集成電路（OEIC）、光伏器件等；
在微電子工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用層面，可被用于制作MESFET（金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）、HEMT（高電子遷移率晶體管）、HBT（異質(zhì)結(jié)雙極晶體管）、IC、微波二極管、Hall器件等。
主要涉及高端軍事電子應(yīng)用、光纖通信系統(tǒng)、寬帶衛(wèi)星無(wú)線通信系統(tǒng)、測(cè)試儀器、汽車(chē)電子、激光、照明等領(lǐng)域。作為重要的半導(dǎo)體材料，GaAs的電子遷移率為硅和氮化鎵的5倍，用于中小功率微波器件具有更低的功率損耗，因此在手機(jī)通訊、局域無(wú)線網(wǎng)、GPS和汽車(chē)?yán)走_(dá)等領(lǐng)域中占主導(dǎo)地位。
產(chǎn)品規(guī)格說(shuō)明
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晶體材料
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Single Crystal Gallium Arsenide, VGF / LECgrown, 高純單晶
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晶向
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(1 0 0) / (1 1 1)
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摻雜
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Undoped
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Zn
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Si / Te
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直徑
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50~150mm ± 0.25mm（2"、 3"、 4"、6"）
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厚度
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350 ± 25um / 550 ± 25um / 625 ± 25um
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晶向
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（ 100 ）or（111） α 0 ±β 0, off angle α and accuracy β upon request
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電阻率
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(1-30)x10 7 Ω.cm
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(1-10)x10 -3 Ω.cm
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遷移率
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1500~3000 3000~5000 cm2 / V·sec
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N / A
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摻雜濃度
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N / A
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(0.1-3.0)×10 18 /cm3
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腐蝕缺陷密度
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≤ 5·103 cm-2
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≤ 7·10 4cm-2
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≤ 5·102 cm-2
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主定位邊
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(0-1-1)±0.5deg, 16 ±1.0mm /22±1.0mm/32.5±1.0mm
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次定位邊
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(0-1 1) )±5.0 deg, 8 ±1.0mm / 11±1.0mm/ 18±1.0mm
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正面
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Polished in Epi-ready Prime grade, 外延生長(zhǎng)級(jí)拋光
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反面
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Polished / Lapping or Etched, 拋光 / 研磨或腐蝕
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Epi-ready
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Yes
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硅片/SOI硅片/氧化硅片
