亚洲综合色自拍一区,少妇久久久久久人妻无码,中国精品偷拍区偷拍无码,极品妇女扒开粉嫩小泬

推薦產(chǎn)品
硅片
>>查看詳細(xì)
SOI絕緣硅片
>>查看詳細(xì)
氧化硅片
>>查看詳細(xì)
納米氧化鈦(TiO2)
>>查看詳細(xì)
銻化鎵晶片
>>查看詳細(xì)
銻化銦晶片
>>查看詳細(xì)
藍(lán)寶石晶片
>>查看詳細(xì)
鍺片
>>查看詳細(xì)
濾光片
>>查看詳細(xì)
產(chǎn)品展示 網(wǎng)站首頁 > 產(chǎn)品中心
碳化硅晶片

產(chǎn)品編號(hào):20137215220

產(chǎn)品產(chǎn)地:

產(chǎn)品描述:碳化硅晶片,碳化硅襯底

產(chǎn)品介紹

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

    碳化硅晶片主要用于肖特基二極管、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、雙極結(jié)型晶體管、晶閘管、可關(guān)斷晶閘管和絕緣柵雙極型晶體管的制作。

技術(shù)參數(shù)

 

外形尺寸 2",   3",  4" , 10 X 10mm, 10 X 5mm
厚度 330μm, 430μm,  或定制
晶向 生長(zhǎng)軸或 偏 (0001) 3.5°
表面處理 單拋, 雙拋
拋光等級(jí) Ra < 1納米
晶胞結(jié)構(gòu)
六方
晶格常數(shù) a =3.08 ?  c = 15.08 ?
排列次序 ABCACB (6H), ABCA(4H)
生長(zhǎng)方法 MOCVD 
拋光 Si面拋光
帶隙 2.93 eV (間接)
導(dǎo)電類型 N
電阻率 0.076 ohm·cm
介電常數(shù) e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33
熱導(dǎo)率@300K 5 W / cm . K
硬度 9.2 Mohs

友情鏈接:儀器信息網(wǎng)  |   久輝科技  |   中科院半導(dǎo)體研究所  |   中國(guó)光電子行業(yè)網(wǎng)  |   后臺(tái)管理  |  
 
  CopyRight 2011 All Right Reserved 北京嘉安恒  京ICP備12052793號(hào)
  地址:中國(guó)·北京市北京市海淀區(qū)樂府商務(wù)大廈415室 電話:010-88681435 傳真:010-58872911
陕西省| 工布江达县| 云霄县| 乐业县| 新乡县| 延寿县| 甘谷县| 尤溪县| 江华| 民权县| 通道| 陈巴尔虎旗| 桃园县| 北票市|