亚洲综合色自拍一区,少妇久久久久久人妻无码,中国精品偷拍区偷拍无码,极品妇女扒开粉嫩小泬

推薦產(chǎn)品
硅片
>>查看詳細
SOI絕緣硅片
>>查看詳細
氧化硅片
>>查看詳細
納米氧化鈦(TiO2)
>>查看詳細
銻化鎵晶片
>>查看詳細
銻化銦晶片
>>查看詳細
藍寶石晶片
>>查看詳細
鍺片
>>查看詳細
濾光片
>>查看詳細
產(chǎn)品展示 網(wǎng)站首頁 > 產(chǎn)品中心
磷化銦晶片

產(chǎn)品編號:201374112958

產(chǎn)品產(chǎn)地:

產(chǎn)品描述:磷化銦晶片

產(chǎn)品介紹

 

產(chǎn)品簡介

    性狀:瀝青光澤的深灰色晶體, 閃鋅礦結構。
    熔點:1070℃。常溫下帶寬(Eg=1.35 eV)。熔點下離解壓為2.75MPa。
    溶解性:極微溶于無機酸。
    介電常數(shù):10.8
    電子遷移率:4600cm2/(V·s)
    空穴遷移率:150cm2/(V·s)
    制備:具有半導體的特性。由金屬銦和赤磷在石英管中加熱反應制得。

產(chǎn)品技術參數(shù)

單晶
InP  備注
外形尺寸 2" , 3", 4" 客戶要求
厚度 Dia2" X 500μm(單拋或雙拋)
Dia3" X 500μm(單拋)
Dia4" X 635μm(單拋)
晶向 <100> 客戶要求
摻雜 None;Sn;S;Fe:Zn  
硬度 3.0莫氏硬度
密度 4.78 g/cm3
導電類型 N;N;N;Si;P
折射率 3.45
載流子濃度cm-3 1-2x1016 ,1-3x1018
1-4x1018 ,6-4x1018
位錯密度cm-2 <5x104
生長方法 LEC
溫度 1072℃
彈性模量 7.1E11dyn Cm-2
友情鏈接:儀器信息網(wǎng)  |   久輝科技  |   中科院半導體研究所  |   中國光電子行業(yè)網(wǎng)  |   后臺管理  |  
 
  CopyRight 2011 All Right Reserved 北京嘉安恒  京ICP備12052793號
  地址:中國·北京市北京市海淀區(qū)樂府商務大廈415室 電話:010-88681435 傳真:010-58872911
商都县| 灌云县| 确山县| 罗田县| 利津县| 华容县| 志丹县| 博湖县| 肇庆市| 宝鸡市| 十堰市| 天全县| 土默特左旗| 米林县|