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薄膜名稱

基片及尺寸

復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)

薄膜織構(gòu)指標(biāo)

薄膜性能指標(biāo)

薄膜應(yīng)用范圍

氧化鋅(ZnO)壓電薄膜

單晶硅、藍(lán)寶石(C面、R面)、石英、單晶及多晶金剛石、YAG、GGG等

尺寸：Ф2″；Ф3″；Ф4″；Ф6″及其他特殊形狀和尺寸。

ZnO/Au/Cr、

ZnO/Pt/Cr、

ZnO/Au/Ti、

ZnO/Pt/Ti

ZnO薄膜X射線衍射(XRD)搖擺曲線(C面)半峰寬(FWHM)≦6°,偏離度m﹤1°。

FWHM)≦3°,偏離度m﹤1°(ZnO/藍(lán)寶石C面或R面)。

ZnO薄膜厚度范圍：(0.15-5)μm；

ZnO薄膜體電阻率：ρ_v≥10⁶Ω.cm;

聲體波(BAW)性能：

相速度：Vp=(6080-6300)m/s；

BAW機(jī)電耦合系數(shù)：K_t=(0.18-0.22)。

聲表面波(SAW) 性能：

相速度：Vp=(2800-4100)m/s；

SAW機(jī)電耦合系數(shù)：K_s²=(1%-3%)。

相速度：Vp=(5000-6100)m/s；(ZnO/R面藍(lán)寶石)

SAW機(jī)電耦合系數(shù)：K_s²=(3%-6%)。(ZnO/R面藍(lán)寶石)。

相速度：Vp=(8000-11000)m/s；(ZnO/單晶及多晶金剛石)

SAW機(jī)電耦合系數(shù)：K_s²=(3%-6%)。(ZnO/單晶及多晶金剛石)

聲體波微波延遲線(BAWDL)(1.5GHz-8GHz)；

聲體波高次諧波諧振器(HBAR)及其振蕩器(Q值10000-100000)；

聲光偏轉(zhuǎn)器(1.5-5)GHz；

高精度聲光移頻器(1.5-5)GHz；

聲表面波(SAW)濾波器及延遲線(可集成化)；SAW移相器(可集成化)；濕度傳感器等。

氮化鋁(AlN)壓電薄膜

單晶硅、藍(lán)寶石(C面、R面)、石英、單晶及多晶金剛石、YAG、GGG等。

尺寸：Ф2″；Ф3″；Ф4″；Ф6″及其他特殊形狀和尺寸。

AlN/Au/Cr、

AlN/Pt/Cr、

AlN/Au/Ti、

AlN/Pt/Ti、

AlN/Mo

AlN薄膜X射線衍射(XRD)搖擺曲線(C面)半峰寬(FWHM)≦6°,偏離度m﹤1°。

FWHM)≦2.5°,偏離度m﹤1°(AlN /C面藍(lán)寶石)。

FWHM)≦2°,偏離度m﹤1°(AlN /Mo/Si)。

AlN薄膜厚度范圍：(0.2-3)μm；

AlN薄膜體電阻率ρ_v：≥10⁹Ω.cm;

聲體波(BAW)性能：

相速度：Vp=(9000-11300)m/s；

BAW機(jī)電耦合系數(shù)：K_t=(0.16-0.20)。

聲表面波(SAW) 性能：

相速度：Vp=(4000-5500)m/s；

SAW機(jī)電耦合系數(shù)K_s²=(1%-3%)。

相速度：Vp=(5500-6500)m/s；(AlN/C面藍(lán)寶石)

SAW機(jī)電耦合系數(shù)K_s²=(0.5%-2%)。(AlN/C面藍(lán)寶石)。

相速度：Vp=(9000-12000)m/s；(AlN/單晶及多晶金剛石)

SAW機(jī)電耦合系數(shù)：K_s²=(1.5%-4.5%)。(AlN /單晶及多晶金剛石)。

薄膜聲體波諧振器(FBAR)及其濾波器(1.5 GHz-10GHz)、雙工器、多工器及集成化RF前端；

聲體波微波延遲線(BAWDL) (3GHz-30GHz)；

聲體波高次諧波諧振器(HBAR)及其振蕩器(Q值10000-100000)；

聲光偏轉(zhuǎn)器(2-5)GHz；

高精度聲光移頻器(1.5-5)GHz；

聲表面波(SAW)濾波器及延遲線(可集成化)；等。

二氧化硅(SiO₂)溫度系數(shù)補(bǔ)償薄膜

鈮酸鋰單晶、鉭酸鋰單晶、單晶硅、藍(lán)寶石(C面、R面)、石英、單晶及多晶金剛石、YAG、GGG等。

尺寸：Ф2″；Ф3″；Ф4″；Ф6″及其他特殊形狀和尺寸。

SiO₂/Al、

SiO₂/Au/Ti

SiO₂/Au/Cr

薄膜厚度范圍：

(0.1-3)μm。

SiO₂/Al/LiNbO₃、

SiO₂/Au/Ti/LiNbO₃、

SiO₂/Au/Cr/LiNbO₃復(fù)合壓電材料溫度系數(shù)TCF補(bǔ)償至(20-35)ppm/℃。

SiO₂/Al/LiTaO₃、

SiO₂/Au/Ti/LiTaO₃、

SiO₂/Au/Cr/LiTaO₃復(fù)合壓電材料溫度系數(shù)TCF補(bǔ)償至(0-10)ppm/℃。 

各種聲表面波(SAW)濾波器；

各種晶體濾波器；

薄膜聲體波諧振器(FBAR)及其濾波器(1.5 GHz-10GHz)、雙工器、多工器及集成化RF前端；

聲體波高次諧波諧振器(HBAR)及其振蕩器(Q值10000-100000)；

等。

氮化硅(Si₃N₄)、氧化鉭(Ta₂0₅)薄膜

鈮酸鋰單晶、鉭酸鋰單晶、單晶硅、藍(lán)寶石(C面、R面)、石英、單晶及多晶金剛石、YAG、GGG等。

尺寸：Ф2″；Ф3″；Ф4″；Ф6″及其他特殊形狀和尺寸。

薄膜厚度范圍：(0.01-3)μm。

各種電子元器件芯片保護(hù)膜。

銅(Cu)、鉬(Mo)、硅(Si)、鎢(W)、鋁(Al)、金(Au)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳鉻合金(NiCr)、鉭(Ta)

各種基片材料。

尺寸：Ф2″；Ф3″；Ф4″；Ф6″及其他特殊形狀和尺寸。

薄膜厚度范圍：(0.05-5)μm。

各種電子元器件芯片等。